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金屬網(wǎng)
?。∕etal Network)
人眼對于線條的鑒別度約在6um左右,因此線徑小于6um金屬網(wǎng)可布成裸眼看不到金屬線的透明導電膜。由于金屬的導電性較佳,只要少量的金屬材料即可布成高導電薄膜,是較具潛力的技術。
金屬網(wǎng)薄膜可以利用蝕刻、網(wǎng)印形成圖案可控制的金屬網(wǎng)格(Metal Mesh),也可以利用金屬粒聚集或是奈米金屬線交織成圖案不定型的金屬網(wǎng)絡(Metal Web)。
金屬網(wǎng)格
(Metal Mesh)
蝕刻的銅金屬網(wǎng)格是一個成熟的產(chǎn)品,過去電漿顯示器(Plasma Display)就應用銅金屬網(wǎng)格作電磁遮蔽(EMI)。
以傳統(tǒng)曝光、顯影、蝕刻等黃光制程的金屬網(wǎng)格透明導電膜已經(jīng)商品化,并且應用到觸控面板產(chǎn)業(yè)。利用Cu2O/Cu/Cu2O結(jié)構(gòu),學者Kim發(fā)表線寬7um、格距450um的金屬網(wǎng)格透明導電膜,在電阻15.1Ω/sq時穿透率可達89%。
有別于黃光的蝕刻制程,直接在基板印制網(wǎng)格的制程更多樣。日本富士膠卷(Fujifilm)開發(fā)銀鹽曝光技術,首先在基板上面進行溴化銀涂布,然后經(jīng)過曝光、洗銀等程序制出網(wǎng)格圖案,再以化學增厚制作銀金屬網(wǎng)格。
或是利用準確網(wǎng)印(Direct Printing Technology,DPT)印制20um線寬的銀網(wǎng),片電阻0.5~1.6Ω/sq,光穿透率達78%~88%。日本Komura-Tech以凹版轉(zhuǎn)?。℅ravure Offset)印制達5um線寬的透明導電膜。
也有學者以噴墨印刷方式直接印出網(wǎng)格,面阻值達0.3Ω/sq。印刷法制程大挑戰(zhàn)在于大面積范圍,印制5um以下的線寬頗具挑戰(zhàn)。
此外、不管用哪一種印刷法,奈米金屬漿料都要經(jīng)過燒結(jié)才能形成導電性佳的網(wǎng)格,高分子柔性基板耐熱能力差,燒結(jié)時奈米金屬較易氧化等都是須克服的問題。
雷射燒結(jié)可以同時達到網(wǎng)格圖案化與高溫燒結(jié)的目的,可用銅奈米粒子雷射燒結(jié),或以奈米銀粒子雷射燒結(jié),分別制出銅金屬網(wǎng)格、與銀金屬網(wǎng)格如(圖7)。其中銀金屬網(wǎng)格之片電阻在30Ω/sq以下,光穿透率大于85%。
金屬網(wǎng)絡
?。∕etal Web)
相對于經(jīng)過設計,并透過制程成形的金屬網(wǎng)格,自然形成的金屬網(wǎng)絡可省略圖案化制程,卻可以達到形成導電網(wǎng)絡的目的。
利用懸浮液干燥時固體會聚集形成咖啡環(huán)(Coffee Ring)的效應,適當?shù)膽腋∫焊稍锍赡ず罂梢宰孕蚪M裝(Self Alignment)自然形成金屬網(wǎng)絡;利用奈米金屬線交錯也可以形成導電金屬網(wǎng)絡,分述如下。
懸浮液干燥時固體會聚集形成環(huán)稱為咖啡環(huán)效應,奈米銀經(jīng)過特殊的墨水設計,可以在液體揮發(fā)干燥后讓奈米銀自動形成網(wǎng)絡,而省去印刷圖案化的制程。
學者Tokuno巧妙的利用氣泡破裂自動形成奈米銀線聚集網(wǎng)絡,經(jīng)過燒結(jié)可以形成面電阻6.2Ω/sq,穿透度達84%的透明導電膜(圖8),美國Cima Nano Tech也利用類似的原理制作透明導電膜。圖9即為使用該公司開發(fā)特殊墨水形成的金屬網(wǎng)絡。
另一種金屬網(wǎng)絡是由奈米金屬線所組成,奈米金屬線非常纖細,肉眼無法察覺線的存在,奈米金屬線交織的金屬網(wǎng)絡,可形成導電度較佳的透明導電膜。
利用奈米金屬線的搭接形成的金屬網(wǎng)絡(圖10),制造工序更簡單,成本更低廉。
以化學法合成奈米銅線,學者Guo發(fā)表在51.5Ω/sq下,光穿透度可達到93.1%的透明導電膜;銀的導電度比銅好,少量奈米銀線即可交織成高導電度,高穿透率的透明導電膜。
另名學者Jia發(fā)表電阻21Ω/sq,光穿透度達93%的軟性透明導電膜,其優(yōu)越的可撓性與觸控面板的展示如圖11所示。
大面積奈米銀線透明導電膜連續(xù)生產(chǎn)的技術已日臻成熟,研究人員以連續(xù)卷對卷的狹縫涂布(Slot-die Coating),制出400mm幅寬的柔性奈米銀線透明導電膜,面電阻30Ω/sq時,光穿透度可達90%。
惟奈米銀線高長徑比的材料特性,使得涂布均勻度難以控制,因此開發(fā)能夠掌控均勻度的制程與設備是奈米銀線透明導電膜產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化的關鍵之一。
柔性透明導電膜技術
發(fā)展三大趨勢
綜觀以上幾種柔性透明導電膜技術發(fā)展,在可撓、光穿透、導電三大特性都有一定的開發(fā)成果,以下就從材料特性、量產(chǎn)制程、技術成熟度探討其未來發(fā)展。
材料特性
導電度與光穿透度是柔性透明導電膜重要的光電特性,高導電度下仍然能維持高光穿透度是產(chǎn)品發(fā)展的趨勢。
為比較前述幾種柔性透明導電膜技術,筆者以近幾年各研究單位發(fā)表的面電阻與光穿透度成果來評價各種柔性透明導電膜技術,如圖12所示。
2024-03-25
2023-04-13
2022-02-09
2021-11-24
2021-11-23
2021-11-16
2021-10-29
2021-10-27
2021-10-20
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