目前國(guó)內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法以及化學(xué)氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學(xué)方法。在這些制備技術(shù)中，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等易于調(diào)控的優(yōu)勢(shì)，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應(yīng)用。硅材料因?qū)щ娐什患敖饘?，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域?qū)Π胁臑R射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當(dāng)苛刻的。硅片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀(guān)結(jié)構(gòu)。       電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數(shù)之一，除特殊用途外，絕大多數(shù)硅靶材電阻率要求越低越好，開(kāi)始應(yīng)用時(shí)電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內(nèi)，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標(biāo)準(zhǔn)電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開(kāi)發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過(guò)的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。純度大于5N，且致密度大于99％。傳統(tǒng)的覆于電子產(chǎn)品玻璃面板表面的黑化膜對(duì)光的反射強(qiáng)。目前噴涂旋轉(zhuǎn)靶材在日新月異的發(fā)展中，在噴涂旋轉(zhuǎn)靶材時(shí)必須要用到旋轉(zhuǎn)接頭，目前旋轉(zhuǎn)接頭的設(shè)計(jì)各式各樣，但都存在旋轉(zhuǎn)接頭不能承受軸向力，或徑向力，致使在噴涂作業(yè)過(guò)程中旋轉(zhuǎn)接頭容易損壞。       且旋轉(zhuǎn)接頭的設(shè)計(jì)為一體式的，在內(nèi)部軸承或油封出現(xiàn)問(wèn)題需要更換時(shí)拆裝復(fù)雜，不易維修。因此，解決噴涂旋轉(zhuǎn)靶材時(shí)旋轉(zhuǎn)接頭容易損壞及不易維修的問(wèn)題就顯得尤為重要了。N型電池的大規(guī)模量產(chǎn)正逐漸興起，增長(zhǎng)迅速，據(jù)第三方機(jī)構(gòu)ITRPV市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)N型單晶電池產(chǎn)品的產(chǎn)量將持續(xù)增加，至2027年達(dá)到25%的份額。“PERC技術(shù)是基于現(xiàn)有產(chǎn)線(xiàn)，只增加沉積背面鈍化層和背面激光開(kāi)槽兩道過(guò)程。而將全覆蓋的背鋁更改為局部鋁柵線(xiàn)，可獲得雙面PERC電池，背面使用低成本的鋁柵線(xiàn)且沒(méi)有背部擴(kuò)散工藝，就可以實(shí)現(xiàn)65%以上的雙面率。”前段，隆基樂(lè)葉宣布其單晶PERC電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到23.26%，效率提升超過(guò)行業(yè)預(yù)期，成為行業(yè)爭(zhēng)相擴(kuò)產(chǎn)的技術(shù)之一。       到2018年大部分國(guó)家靶材市場(chǎng)空間達(dá)到983億元，超越大部分國(guó)家金屬鈷和碳酸鋰合計(jì)941億元的市場(chǎng)，未來(lái)潛力巨大。高純金和高純銀因具有接觸電阻小，熱阻低，熱效應(yīng)力小和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，其靶材材料廣泛應(yīng)用于背面金屬化系統(tǒng)、汽車(chē)工業(yè)、高溫材料和生物醫(yī)學(xué)中。“半導(dǎo)體器件用鎳鉑靶材的制備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”取得重大打破，建立了生產(chǎn)線(xiàn)并取得良好經(jīng)濟(jì)效益，鎳鉑靶材替代了****產(chǎn)品并遠(yuǎn)銷(xiāo)海外。國(guó)內(nèi)靶材等半導(dǎo)體材料的帶領(lǐng)者企業(yè)，實(shí)現(xiàn)了高純金屬、靶材一體化運(yùn)營(yíng)，在高純金屬、銅靶材、鈷靶材等產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了技術(shù)打破。并成功進(jìn)入到國(guó)外集成電路企業(yè)的供應(yīng)鏈。金屬鋁靶材Al，金屬銻靶材，金屬鉍靶材Bi，金屬鎘靶材Cd，硼靶材B，碳靶材C，石墨靶材C。       濺射靶材市場(chǎng)依然被美國(guó)、日本的濺射靶材生產(chǎn)廠(chǎng)商所控制或壟斷。隨著濺射靶材朝著更高純度、更大尺寸的方向發(fā)展。不斷進(jìn)行研發(fā)創(chuàng)新。靶材產(chǎn)品包括鋁及其合金靶材、鈦靶、銅靶、鉭靶等。尤特新材料（UVTM）是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，公司成立于二00三年，專(zhuān)業(yè)從事信息、鍍膜、太陽(yáng)能材料的科研與生產(chǎn)。公司從德國(guó)、日本、引進(jìn)先進(jìn)的生產(chǎn)、檢測(cè)設(shè)備和專(zhuān)業(yè)人才。目前，靶材的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程面臨著高等技術(shù)封鎖難題。且技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)打破，過(guò)程還需要多個(gè)學(xué)科的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)的同時(shí)積累，產(chǎn)業(yè)需要協(xié)同發(fā)展。中國(guó)集成電路材料現(xiàn)狀如何？靶材是薄膜制備的關(guān)鍵原料之一，半導(dǎo)體在靶材應(yīng)用中約占10%。2016年靶材市場(chǎng)增速達(dá)到20%，2017年-2019年仍將保持復(fù)合增速13%。       尤其適用于和氧化物靶材。真空蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)一般由三個(gè)部分組成:真空室、蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。在真空中為了蒸發(fā)待沉積的材料，需要容器來(lái)支撐或盛裝蒸發(fā)物，同時(shí)需要提供蒸發(fā)熱使蒸發(fā)物達(dá)到足夠高的溫度以產(chǎn)生所需的蒸汽壓。圖：真空蒸發(fā)鍍膜工作原理示意圖真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有簡(jiǎn)單便利、操作方便、成膜速度快等特點(diǎn)，是應(yīng)用廣泛的鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用于光學(xué)元器件、LED、平板顯示和半導(dǎo)體分立器的鍍膜。光學(xué)器件應(yīng)用范圍非常廣泛，主要包括智能手機(jī)、車(chē)載鏡頭、安防監(jiān)控設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、光碟機(jī)、投影機(jī)等，元器件及光學(xué)鏡頭。我國(guó)濺射靶材研發(fā)生產(chǎn)技術(shù)還存在一定差距，市場(chǎng)影響力相對(duì)有限，尤其在半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。