在市場(chǎng)需求和政策鼓勵(lì)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)保持著平穩(wěn)較快發(fā)展，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)、靶材產(chǎn)業(yè)規(guī)模也日益擴(kuò)大，其增速高于大部分國(guó)家增速，在大部分國(guó)家市場(chǎng)中所占份額逐漸提升。得益于中國(guó)大陸晶圓廠建設(shè)的迅猛勢(shì)頭，中國(guó)已經(jīng)成為大部分國(guó)家具潛力的半導(dǎo)體材料新興市場(chǎng)。2016 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體用濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模打破 14 億元，大部分國(guó)家半導(dǎo)體用濺射行業(yè)高層度研究靶材市場(chǎng)規(guī)模打破 12 億美元。我們預(yù)測(cè)，未來(lái) 5 年， 國(guó)內(nèi)高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模年復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)到 13%，總規(guī)模超過(guò) 25 億元。 為了打破技術(shù)和產(chǎn)能瓶頸，有效利用銦資源，近年中國(guó)企業(yè)加快了ITO靶材技術(shù)研發(fā)和引進(jìn)。上馬了多個(gè)高等ITO靶材國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目。然而，國(guó)內(nèi)濺射靶材主要應(yīng)用于中低端產(chǎn)品商，而高等靶材產(chǎn)品則從日韓***。本土靶材廠商約占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)30%的份額。通過(guò)改變靶材的濺鍍面形狀及厚度，來(lái)調(diào)整靶材與基材之間的磁場(chǎng)，使電壓平穩(wěn)，從而使靶材的預(yù)濺鍍縮短，提高了靶材的使用率，薄膜質(zhì)量提高。解決現(xiàn)有的離子濺射鍍膜機(jī)存在的有效鍍膜面積小、膜厚均勻性不容易控制和鍍膜表面質(zhì)量差的技術(shù)問(wèn)題，提供一種鍍膜面積大、膜厚均勻性易控制和鍍膜表面質(zhì)量高的離子濺射鍍膜機(jī)。       半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國(guó)內(nèi)占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢(shì)如何？目前大部分國(guó)家高等靶材市場(chǎng)主要分布于韓國(guó)、、中國(guó)、日本，主要供應(yīng)商在日本，韓國(guó)。中國(guó)市場(chǎng)目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長(zhǎng)之中日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料、保護(hù)涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、TAB（捲帶式自動(dòng)接合）、COF（薄膜復(fù)晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。       國(guó)內(nèi)高純金屬產(chǎn)業(yè)在靶材上游率先取得打破。 2004 年以前，我國(guó) 99 %以上的高純鋁只能從美國(guó)和日本***。近年來(lái)隨著技術(shù)的發(fā)展，我國(guó)也出現(xiàn)了一些高純鋁生產(chǎn)企業(yè)，有新疆眾和、包頭鋁業(yè)、霍煤鴻駿、山西關(guān)鋁、宜都東陽(yáng)光鋁、中鋁貴州、神火鋁業(yè)等，與美、日企業(yè)的差距正在縮小。 2016 年我國(guó)國(guó)內(nèi)高純鋁產(chǎn)量達(dá) 11.8 萬(wàn)噸，生產(chǎn)的高純鋁甚至部分返銷國(guó)外。性價(jià)比。     帶動(dòng)上游靶材需求增長(zhǎng)。據(jù)預(yù)測(cè)，會(huì)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。其中又以日本日礦和三井為主，其兩家?guī)缀跽紦?jù)了高等TFT-LCD市場(chǎng)用ITO靶材的全部份額和大部分的觸摸屏面板市場(chǎng)。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的不同，靶材的材料、形狀也會(huì)有所差異。根據(jù)形狀可分為長(zhǎng)(正)方體形、圓柱體形、無(wú)規(guī)則形以及實(shí)心、空心靶材。柱形磁控測(cè)射靶的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)緊湊，形靶高。面板靶材：主要用于制作ITO玻璃及觸控屏電極平板。顯示行業(yè)主要在顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品生產(chǎn)環(huán)節(jié)需要使用靶材濺射鍍膜。用于高清電視、筆記本電腦等。技術(shù)要求也很高，它要求材料高純度、面積大、均勻性程度高。鋁、銅、鉬、鉻等，主要應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池，太陽(yáng)能靶材技術(shù)要求高、應(yīng)用范圍大。磁控。       low-e玻璃在玻璃界的影響非常巨大，行業(yè)內(nèi)甚至流傳“21世紀(jì)是low-e玻璃的世界”的說(shuō)法。它具有良好的采光性，同時(shí)沒(méi)有“光污染”，由于其具備良好的隔熱和防紫外線功能，是真實(shí)意義上的綠色、節(jié)能、環(huán)保玻璃建材。low-e玻璃是鍍膜玻璃的一種，其表面是有電介質(zhì)和金屬為主構(gòu)成的金屬膜層。low-e玻璃本質(zhì)是玻璃表面附著一層透明的金屬膜層，對(duì)可見(jiàn)光具有良好的透光性，對(duì)紅外線和紫外線具有很高的反射性。low-e玻璃具有兩個(gè)顯著特點(diǎn)：（1）極低的表面輻射率；（2）非常高的遠(yuǎn)紅外（熱輻射）反射率。從技術(shù)原理上講，即可阻擋玻璃吸熱升溫后以輻射形式從膜面向外散熱，也可直接反射遠(yuǎn)紅外熱輻射。low-e玻璃的以上兩個(gè)特性與中空玻璃對(duì)熱的對(duì)流傳導(dǎo)的阻隔作用相配合，便構(gòu)成了U值極低的Low-E中空玻璃。它可阻隔熱能從熱的一端向冷的一端傳遞。即冬季阻擋室內(nèi)的熱量瀉向室外，夏季阻擋室外熱輻射進(jìn)入室內(nèi)。        氧化物陶瓷靶材屬于陶瓷產(chǎn)品，由于對(duì)純度、密度、尺寸、形狀，以及成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等都有特殊要求，其制備南都較高。氧化物陶瓷靶材作為重要的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，多年來(lái)一直被靶材研究人員關(guān)注。與德國(guó)、日本等世界靶材強(qiáng)國(guó)相比，我國(guó)陶瓷靶材研究相對(duì)落后，但是近年來(lái)，隨著大部分國(guó)家光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。       實(shí)行科學(xué)嚴(yán)格的制度、生產(chǎn)工藝和操作規(guī)程，從產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)到銷售、服務(wù)各個(gè)環(huán)節(jié)都嚴(yán)格確保符合質(zhì)量體系的要求。其中靶材就是做芯片的重要材料。知名的就是外芯片——英偉達(dá)，直屬于行業(yè)老大。但是隨著中的實(shí)力日漸強(qiáng)度，我們的華為已經(jīng)自主的研發(fā)生產(chǎn)出與之抗衡的電子芯片。完全打破了直采用外技術(shù)的這現(xiàn)象。像超大規(guī)模集成電路芯片制造域是靶材高的應(yīng)用，其對(duì)靶材金屬純度的要求高通常要求達(dá)到99.9995%(5N5)以上。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達(dá)到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結(jié)構(gòu)和濺射直流電源，射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上，在不同的直流濺射功率和射頻功率下進(jìn)行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。濮。       光碟的膜層也是多層組成的，它在染料層上鍍上30nm厚的鐵鈷合金記錄層，里面混有非晶態(tài)稀土過(guò)渡元素，再鍍上20到100nm厚的氮化硅介質(zhì)層，后鍍上鋁膜反射層。這些需要落得磁性能。能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品，要實(shí)現(xiàn)這些功能，還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜，靠其成膜后顯示出來(lái)的晶體狀態(tài)排序來(lái)實(shí)現(xiàn)。這些需要落得磁性能，能夠記錄數(shù)據(jù)的電子產(chǎn)品，要實(shí)現(xiàn)這些功能，還是要靠各種不同物質(zhì)所濺射而成的薄膜，來(lái)的晶體狀態(tài)排序來(lái)實(shí)現(xiàn)。一般會(huì)由金膜或銀膜替代。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成化程度越來(lái)越高，單位面積單晶硅片集成器件數(shù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，英寸（450mm）或者更高，國(guó)內(nèi)ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)，日本企業(yè)進(jìn)入該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域較早。不僅具有上游原料優(yōu)勢(shì)，而且上下游供應(yīng)鏈維持良好，業(yè)處于大部分國(guó)家的領(lǐng)導(dǎo)地位。多晶硅的產(chǎn)能在高層度集中，目前進(jìn)入了競(jìng)爭(zhēng)深水區(qū)。由于多晶硅的價(jià)格較低。每年我國(guó)還從國(guó)外***多晶硅10萬(wàn)噸以上。