在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過程中，需要經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。合金靶材：鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。陶瓷靶材ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶。     大部分國家靶材市場空間持續(xù)擴(kuò)大，面板應(yīng)用是國產(chǎn)替代賽道。20世紀(jì)90年代以來，隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用市場的飛速發(fā)展。繼TCL科技旗下華星光電20億元入股日本面板企業(yè)JOLED，布局噴墨印刷OLED領(lǐng)域之后。TCL科技或?qū)⒊鲑Y100億拿下中電熊貓。中國電子計(jì)劃出售中電熊貓三條液晶面板產(chǎn)線的股份，京東方出價(jià)60億元-70億元，而TCL科技愿意以100億元左右收購中電熊貓，中國電子選擇出價(jià)更高的TCL科技。       而且上下游供應(yīng)鏈維持良好，ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)處于大部分國家的領(lǐng)導(dǎo)地位。2008年大部分國家ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)品供不應(yīng)求，隨著市場需求的逐步擴(kuò)大，及行業(yè)技術(shù)的逐漸發(fā)展，韓國企業(yè)陸續(xù)進(jìn)入，包括韓國LG化學(xué)，SKC等企業(yè)。具備一定技術(shù)實(shí)力的中國地區(qū)企業(yè)。大陸企業(yè)也紛紛進(jìn)入這一行業(yè)。在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對靶材的要求是比較高的,一般要求靶材的純度要在99.999%以上,價(jià)格也昂貴。中國超過韓國成為大部分國家大的LCD生產(chǎn)大國;2019年,韓國宣布繼續(xù)減少LCD產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)OLED市場,中國持續(xù)布局OLED、LCD顯示器、導(dǎo)電玻璃以及太陽能電池等。       ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質(zhì)結(jié)光電器件與p-n結(jié)光電池比較具有工藝簡單,轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。在靶材制造的過程中，需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結(jié)、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機(jī)械加工、水切割、機(jī)械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗(yàn)出貨。ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導(dǎo)體Si上形成勢壘作為SIS結(jié)的一層以及抗反射層。銦是中國在儲(chǔ)量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射。其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導(dǎo)電材料外。旋轉(zhuǎn)靶材。 WSTS預(yù)計(jì)，2018年大部分國家半導(dǎo)體規(guī)模增速達(dá)12.4%。2010~2016年，大部分國家半導(dǎo)體銷售額保持平穩(wěn)發(fā)展，而2017年大部分國家市場增速超預(yù)期，達(dá)21.62%，特別是存儲(chǔ)器市場，增速高達(dá)61.49%。一方面，存儲(chǔ)芯片需求旺盛，產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI等新應(yīng)用拉動(dòng)下游需求，WSTS 預(yù)計(jì)，在AI、智能駕駛、5G、VR/AR等需求持續(xù)帶動(dòng)下，2018年大部分國家半導(dǎo)體行業(yè)將實(shí)現(xiàn)12.4%的增速，2019年的增速預(yù)估為4.4%。        主要用于五金裝飾的耐磨、耐腐蝕硬膜，LOW-E鍍膜玻璃，半導(dǎo)體電子加工尺寸:長度:4000MM厚度:6-10MM，直型、狗骨型，對于貨品靶材，若剩余下的高純殘靶若以普通廢料進(jìn)行處理，將會(huì)是對稀貴材料的較大浪費(fèi)；同時(shí)，靶材從原材料到加工成成品，成材率一般只有40%-80%，大量的余料和殘屑需要更新循環(huán)利用。對于貨品靶材，由于材料價(jià)格昂貴，迫切需要對加工過程的余料殘屑的提純再利用及對殘進(jìn)行回收加工增值服務(wù)，有效增加材料利用效率和節(jié)約資源。對于貨品余料殘屑及殘的處理可為機(jī)械物理法回收和化學(xué)精煉提純回收。機(jī)械物理法可應(yīng)用于單質(zhì)金屬殘靶及加工廢料。通過機(jī)械切削對單質(zhì)殘表面進(jìn)行處理，然后采用酸洗去除表面殘留雜質(zhì)的方法對殘祀回收再利用。金屬鈮靶材。       硅的原子結(jié)構(gòu)決定了硅原子具有一定的導(dǎo)電性，但由于硅晶體中沒有明顯的自由電子，因此導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域?qū)Π胁臑R射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當(dāng)苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數(shù)之一，除特殊用途外，絕大多數(shù)硅靶材電阻率要求越低越好，開始應(yīng)用時(shí)電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內(nèi)，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標(biāo)準(zhǔn)電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。噴涂網(wǎng)。  在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域。美國、日本、荷蘭依然占主要地位。國內(nèi)的芯片制造與韓國和歐洲的企業(yè)相比都相距甚遠(yuǎn)。芯片制造設(shè)備，半導(dǎo)體材料對于芯片產(chǎn)業(yè)的重要性也是不言而喻。半導(dǎo)體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導(dǎo)體行業(yè)正處于成長關(guān)鍵期，材料和技術(shù)仍依賴***，受到國際市場影響，圍繞半導(dǎo)體行業(yè)的焦慮在持續(xù)蔓延。特別是存儲(chǔ)器市場。增速高達(dá)61.49%。一方面，存儲(chǔ)芯片需求旺盛，價(jià)格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI等新應(yīng)用拉動(dòng)下游需求。半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。       半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Π胁牡囊蠓浅８?，對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標(biāo)準(zhǔn)，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實(shí)踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因而有實(shí)力產(chǎn)出高純電子級靶材的企業(yè)與公司并不得多，也使得電子級靶材價(jià)格較為昂貴。過去，半導(dǎo)體靶材這種高精尖的材料制造工藝一般是掌握在如住友化學(xué)、霍尼韋爾等美、日企業(yè)手上，整個(gè)行業(yè)呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施，限制技術(shù)擴(kuò)散，同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。牢牢把握著大部分國家濺射靶材市場的主動(dòng)權(quán)。