例如磷化銦（InP）和氮化鎵（GaN）。芯片制造商一直在使用化學(xué)氣相沉積（CVD）來(lái)制造晶圓廠的邏輯器件和存儲(chǔ)器件。在CVD設(shè)備中，氣態(tài)前體化學(xué)物質(zhì)流入裝載了硅晶圓的工藝腔體。這些氣態(tài)前體在晶圓表面發(fā)生反應(yīng)，形成所需的薄膜，同時(shí)副產(chǎn)物將從腔體中抽走。將晶圓裝載到MOCVD系統(tǒng)中，然后將純凈氣體輸入反應(yīng)器中。以不同ITO靶材生產(chǎn)企的靶材為對(duì)比試樣,通過(guò)將各試樣粉碎、過(guò)篩和王水腐蝕的方法分離并提取出各靶材的腐蝕產(chǎn)物,對(duì)腐蝕產(chǎn)物的剩余量、顯微形貌、物相組成、失氧率等進(jìn)行了觀察和,并進(jìn)行分析和對(duì)比。主要分為兩類材料。其中一類是基于GaN。噴涂靶材。HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導(dǎo)電薄膜。HIT電池是在晶體硅上沉積非晶硅薄膜      超高溫特種功能材料加大在MoCVD及相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備、光伏太陽(yáng)能等領(lǐng)域的技術(shù)營(yíng)銷，鎢鉬深加工組件等產(chǎn)品也不斷加快進(jìn)口替代進(jìn)程。在靶材及超高溫特種功能材料領(lǐng)域，尤其是寬幅鉬靶材、高世代線ITO靶材作為新的增長(zhǎng)點(diǎn)市場(chǎng)份額大幅提升，總體保持了快速發(fā)展。      MOCVD系統(tǒng)主要用于芯片表面的薄膜單晶層沉積，也常用于器件的三五族化合物半導(dǎo)體材料沉積，例如磷化銦（InP）和氮化鎵（GaN）。芯片制造商一直在使用化學(xué)氣相沉積（CVD）來(lái)制造晶圓廠的邏輯器件和存儲(chǔ)器件。在CVD設(shè)備中，氣態(tài)前體化學(xué)物質(zhì)流入裝載了硅晶圓的工藝腔體。這些氣態(tài)前體在晶圓表面發(fā)生反應(yīng)，形成所需的薄膜，同時(shí)副產(chǎn)物將從腔體中抽走。將晶圓裝載到MOCVD系統(tǒng)中。